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BLDC-Motor-Treiber-IC

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P-Kanal-Erweiterungsmodus Leistungs-MOSFET JY4P7M für Hochstromlast

P-Kanal-Erweiterungsmodus Leistungs-MOSFET JY4P7M für Hochstromlast

Allgemeine Beschreibung Der JY4P7M nutzt die neuesten Techniken der Schützengrabenverarbeitung, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Einschaltwiderstand mit geringer Torladung zu reduzieren.Diese ... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:58:38
Bürstenloser Gleichstrommotor-Treiber IC JY21L SOP-8 Kann stattdessen IR2101S-Push-Chip für Klein- und Mittelleistungsmotor-Treiber verwenden

Bürstenloser Gleichstrommotor-Treiber IC JY21L SOP-8 Kann stattdessen IR2101S-Push-Chip für Klein- und Mittelleistungsmotor-Treiber verwenden

Allgemeine BeschreibungDas Produkt ist ein Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber auf Basis des P-SUB-P-EPI-Verfahrens.Der schwimmende Kanal-Treiber kann verwendet werden, um zwei N-Kanal... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:58:08
JY13M Bürstenloser Gleichstrommotor-Treiber MOSFET N und P Kanal 40V Oberflächenhalter

JY13M Bürstenloser Gleichstrommotor-Treiber MOSFET N und P Kanal 40V Oberflächenhalter

N- und P-Kanal 40V MOSFET von JY13M Allgemeine Beschreibungen: Die JY13M sind die N- und P-Kanal-Logikverbesserungsmodus-Leistungsfeldtransistoren, die eine ausgezeichnete RDS ((ON) und eine niedrige Gate... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:57:05
JY09M N Kanalverstärkung MOS IC TO-220 70V 90A Leistungs-MOSFET

JY09M N Kanalverstärkung MOS IC TO-220 70V 90A Leistungs-MOSFET

Allgemeine Beschreibung Der JY09M nutzt die neuesten Techniken zur Verarbeitung von Schützengräben, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Einsatzwiderstand mit geringer Torladung zu reduzieren.Diese ... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:56:37
JY213H SOP20 BLDC Motor Treiber MOSFET / IGBT Treiber Hochgeschwindigkeits-Hochspannung 3-Phasen-Gate-Treiber

JY213H SOP20 BLDC Motor Treiber MOSFET / IGBT Treiber Hochgeschwindigkeits-Hochspannung 3-Phasen-Gate-Treiber

Beschreibung: Der JY213H ist ein Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET und IGBT-Treiber mit drei unabhängigen hohen und niedrigen seitlichen referenzierten Ausgangskanälen für einen 3-phasigen Gate-Treiber... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:56:09
MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise

MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise

Allgemeine Beschreibung Der JY11M nutzt die neuesten Techniken zur Verarbeitung von Gräben, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Widerstand mit hoher Wiederholungslavinche zu reduzieren.Diese Eigenschaft... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:55:36
JY213L SSOP-20 Halbbrückeantrieb 90V 3-Phasen-Tor-Treiber mit drei unabhängigen Hoch- und Niederseiten

JY213L SSOP-20 Halbbrückeantrieb 90V 3-Phasen-Tor-Treiber mit drei unabhängigen Hoch- und Niederseiten

Beschreibung: Der JY213L ist ein Hochgeschwindigkeits-Drei-Phasen-Gate-Treiber für Leistungs-MOSFET- und IGBT-Geräte mit drei unabhängigen hohen und niedrigen seitlichen referenzierten Ausgangskanälen... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:55:01
N-Kanal-Erweiterungsmodus Leistung MOSFET JY8N5M TO252 Hochleistung 500V 4A Feldwirkungsrohr

N-Kanal-Erweiterungsmodus Leistung MOSFET JY8N5M TO252 Hochleistung 500V 4A Feldwirkungsrohr

Allgemeine Beschreibung Das Produkt nutzt die fortschrittlichen planaren Verarbeitungstechniken, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Einschaltwiderstand mit einer hohen Wiederholungsschwelle zu ... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:54:06
N- und P-Kanal 30V MOSFET JY12M 3-Phase H-Brückenkreis BLDC Mosfet-Treiber

N- und P-Kanal 30V MOSFET JY12M 3-Phase H-Brückenkreis BLDC Mosfet-Treiber

Allgemeine Beschreibungen: Die JY12M sind die N- und P-Kanal-Logikverbesserungsmodus-Leistungsfeldtransistoren, die mit hoher Zelldichte-DMOS-Grench-Technologie hergestellt werden.Dieser Prozess mit hoher ... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:53:34
JY16M N Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET für die Anwendung der Stromübertragung

JY16M N Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET für die Anwendung der Stromübertragung

Allgemeine Beschreibung Der JY16M nutzt die neuesten Techniken zur Verarbeitung von Gräben, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Widerstand mit hoher Wiederholungsschwelle zu reduzieren.Diese Eigenschaft... Lesen Sie weiter
2024-09-19 10:53:04
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