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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd
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MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise

MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise

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MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: JEUNKEI
Zertifizierung: ISO9001,CE
Modellnummer: JY11M
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 50pcs (Probe verfügbar)
Preis: USD0.5-USD1/PC
Verpackung Informationen: Reihe für den Export
Lieferzeit: hängen Sie von der Auftragsquantität /Negotiable ab
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück pro Tag
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Name: N-Kanal MOSFET Modell Nr.: JY11M
Typ: N-Kanal Abfluss-Quellspannung: 100 V (Tc=25°C)
Tor-Quellspannung: ± 20V Ununterbrochener Abfluss-Strom: 110A ((Tc=25°C)
Maximale Verlustleistung: 210W Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich: -55°C bis +175°C
Umkehrkörperwiederherstellung: - Ja, das ist es.
Hervorheben:

Leistungsverbesserungsmodus mosfet N-Kanal

,

Erhöhungsmodus Leistung mosfet JY11M

,

Hard Schaltet auf Erweiterungsmodus

Allgemeine Beschreibung


Der JY11M nutzt die neuesten Techniken zur Verarbeitung von Gräben, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Widerstand mit hoher Wiederholungslavinche zu reduzieren.
Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Stromschaltanwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.


 Eigenschaften:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Schnelle Umschaltung und Rückwärtsrehabilitation
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Ausgezeichnete Verpackung für eine gute Wärmeableitung

 

Anwendungen:

 

● Wechseln der Anwendung
● Hochfrequenzschaltkreise
● Stromverwaltung für Inverter

 

Beschreibung der PIN:

 

MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise 0

Absolute Höchstwerte ((Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben):

 

Symbol Parameter Grenzwerte Einheit
VDS Abflussspannung 100 V
VGS Schaltquelle-Spannung ± 20 V
Ich...D Kontinuierlicher Abfluss TC=25°C 110 Eine
TC=100°C 82
Ich...DM Impulsiver Abfluss 395 Eine
PD Maximale Energieverschwendung 210 W
TJTSZG Betriebsverbindungs- und Lagertemperaturbereich -55 ~ +175 °C
RDie Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse 0.65 °C/W
RθJA
Wärmewiderstand-Verbindung zum Umgebungsraum 62

 

TO220-3 Paketbeschreibung:

MOSFET JY11M für Hard-Switched- und Hochfrequenzkreise 1
 

Symbol mm Zoll Symbol mm Zoll
Min. Name Maximal Min. Name Maximal Min. Name Maximal Min. Name Maximal
Eine 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 E 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 E1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 2.50 REF. 0.098REF.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Öp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.7 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.94 0.401              

 

 

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte direkt per E-Mail: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: Ivanzhu

Telefon: 0086-13961407941

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