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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd
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40V/80A bis 252 N Kanalverbesserungsmodus Leistung MOSFET

40V/80A bis 252 N Kanalverbesserungsmodus Leistung MOSFET

  • 40V/80A bis 252 N Kanalverbesserungsmodus Leistung MOSFET
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40V/80A bis 252 N Kanalverbesserungsmodus Leistung MOSFET
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: JEUNKEI
Zertifizierung: ISO9001,CE
Modellnummer: JY4N8M
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 50pcs (Probe verfügbar)
Preis: USD0.5-USD1/PC
Verpackung Informationen: Reihe für den Export
Lieferzeit: hängen Sie von der Auftragsquantität /Negotiable ab
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 30000 Stück pro Monat
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Name: Energie MOSFET Modell Nr.: JY4N8M
Typ: N-Kanal Abfluss-Quellspannung: 40 V
Tor-Quellspannung: ± 20V Ununterbrochener Abfluss-Strom: 80A (Tc=25°C)
Pulsierter Abflussstrom: 350A Maximale Verlustleistung: 80W
Umkehrkörperwiederherstellung: - Ja, das ist es.
Hervorheben:

80A Leistungs-MOSFET

,

40 V Leistungs-MOSFET

Allgemeine Beschreibung

 

Eigenschaften:

 

Der JY4N8M nutzt die neuesten Techniken der Schützengrabenverarbeitung, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den On-Widerstand mit geringer Torladung zu reduzieren.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Stromschaltanwendungen und eine Vielzahl anderer Anwendungen.

 

Anwendungen:

 

● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Schnelle Umschaltung und Rückwärtsrehabilitation
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Ausgezeichnete Verpackung für eine gute Wärmeableitung

 

Beschreibung der PIN:

 

40V/80A bis 252 N Kanalverbesserungsmodus Leistung MOSFET 0

 

Absolute Maximalwerte ((Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben)

 

Symbol Parameter Grenzwerte Einheit
VDS Abflussspannung 40 V
VGS Schaltquelle-Spannung ± 20 V
Ich...D Kontinuierlicher Abfluss Tc=25°C 80 Eine
Tc=100°C 55
Ich...DM Impulsiver Abfluss 350 Eine
PD Maximale Energieverschwendung 80 W
TJTSZG Betriebsverbindungs- und Lagertemperaturbereich -55 ~ +175 °C
RDie Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse 1.88 °C/W
RDie Wärmewiderstand-Verbindung zum Umgebungsraum 92

 

Paketbeschreibung:

 

40V/80A bis 252 N Kanalverbesserungsmodus Leistung MOSFET 1

Symbol Abmessungen in Millimetern Abmessungen in Zoll
- Ich weiß nicht. Max, du bist ein guter Mann. - Ich weiß nicht. Max, du bist ein guter Mann.
Eine 2.200 2.400 0.087 0.094
A1 0.000 0.127 0.000 0.005
b 0.660 0.860 0.026 0.034
c 0.460 0.580 0.018 0.023
D 6.500 6.700 0.256 0.264
D1 5.100 5.460 0.201 0.215
D2 0.483 Typ. 0.190 Typ.
E 6.000 6.2000 0.236 0.244
E 2.186 2.386 0.086 0.094
L 9.800 10.400 0.386 0.409
L1 2.900 TYP 0.114 Typ.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
L3 1.600 TYP 0.063 Typ.
L4 0.600 1.000 0.024 0.039
ø 1.100 1.300 0.043 0.051
Die 0° 8° 0° 8°
h 0.000 0.300 0.000 0.012
v 5.350 TYP. 0.211 Typ.


Für weitere Produktinformationen kontaktieren Sie uns bitte direkt per E-Mail: ivanzhu@junqitrading.com

 

Größe und Tag:

Tragbares EV-Ladegerät 8A,

Tragbares EV Ladegerät IEC62196,

Ladegerät-Stecker 32A des Typ- 1ev

Kontaktdaten
Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

Ansprechpartner: Ivanzhu

Telefon: 0086-13961407941

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns
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